NDPL180N10BG

Hersteller-Teilenummer:	NDPL180N10BG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
Datenblätte:	NDPL180N10BG.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2665 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerNDPL180N10BG
HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus2665 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäuseTO-220-3
Serie-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 15V, 50A
Verlustleistung (max)2.1W (Ta), 200W (Tc)
VerpackungTube
Verpackung / GehäuseTO-220-3
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds6950pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C180A (Ta)
NDPL180N10BG Einzelheiten PDF [English]NDPL180N10BG PDF - EN.pdf

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